Искать:
NGB8207ABNT4G
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-263-3
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 365 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 15 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
  • Pd - рассеивание мощности 165 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия NGB8207AB
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel