NGTB30N135IHR1WG
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.35 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
- Pd - рассеивание мощности 394 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube