STGWA25H120DF2
- ПроизводительSTMicroelectronics
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Pd - рассеивание мощности 375 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGWA25H120DF2
- Квалификация -
- Упаковка -