FGA5065ADF
- ПроизводительON Semiconductor / Fairchild
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3PN
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.28 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Pd - рассеивание мощности 268 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия FGA5065ADF
- Квалификация -
- Упаковка Tube