IXXN110N65B4H1
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок SOT-227
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 215 A
- Pd - рассеивание мощности 750 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXXN110N65
- Квалификация -
- Упаковка Tube