APT64GA90LD30
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-264-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 117 A
- Pd - рассеивание мощности 500 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube