IXYP20N65C3D1M
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.27 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 18 A
- Pd - рассеивание мощности 50 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия IXYP20N65
- Квалификация -
- Упаковка Tube