IXGT50N90B2
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-268-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGT50N90
- Квалификация -
- Упаковка Tube