NGTG15N60S1EG
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
- Pd - рассеивание мощности 47 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия NGTG15N60S1
- Квалификация -
- Упаковка Tube