IXYP30N120C3
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
- Pd - рассеивание мощности 500 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия IXYP30N120
- Квалификация -
- Упаковка Tube