HGT1S10N120BNST
- ПроизводительON Semiconductor / Fairchild
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-263AB-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A
- Pd - рассеивание мощности 298 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия HGT1S10N120BNS
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel