IXYT20N120C3D1HV
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-268HV-2
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 36 A
- Pd - рассеивание мощности 230 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка -