Искать:
SGL50N60RUFDTU
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-264-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
  • Pd - рассеивание мощности 250 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия SGL50N60RUFD
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube