IXGH48N60A3D1
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.18 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности 300 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGH48N60
- Квалификация -
- Упаковка Tube