IXGN400N30A3
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок SOT-227B-4
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.15 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A
- Pd - рассеивание мощности 735 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGN400N30
- Квалификация -
- Упаковка Tube