Искать:
IXGB200N60B3
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок PLUS 264-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
  • Pd - рассеивание мощности 1.25 kW
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия IXGB200N60
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube