IXGB200N60B3
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок PLUS 264-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
- Pd - рассеивание мощности 1.25 kW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGB200N60
- Квалификация -
- Упаковка Tube