IXGT16N170A
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-268-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4.2 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A
- Pd - рассеивание мощности 190 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGT16N170
- Квалификация -
- Упаковка Tube