SMMBFJ177LT1G
- ПроизводительON Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-236AB
- Полярность транзистора P-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток 30 V
- Ток стока при Vgs=0 - 20 mA
- Id - непрерывный ток утечки - 1 nA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 300 Ohms
- Pd - рассеивание мощности 225 mW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MMBFJ177L
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel