Искать:
IFN5115
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-18-3
  • Полярность транзистора P-Channel
  • Конфигурация Single
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток - 15 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 30 V
  • Ток стока при Vgs=0 - 60 mA
  • Id - непрерывный ток утечки - 15 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 Ohms
  • Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия IFN511
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk