IFN5566
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-71-6
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Dual
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 40 V
- Ток стока при Vgs=0 30 mA
- Id - непрерывный ток утечки -
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 Ohms
- Pd - рассеивание мощности 650 mW
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Bulk