Искать:
IFN5566
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-71-6
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Конфигурация Dual
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 40 V
  • Ток стока при Vgs=0 30 mA
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток 100 Ohms
  • Pd - рассеивание мощности 650 mW
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Серия -
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk