IFN410
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-71-6
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Dual
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 40 V
- Ток стока при Vgs=0 5 mA
- Id - непрерывный ток утечки -
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности 375 mW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия IFN411
- Квалификация -
- Упаковка Bulk