SMMBFJ309LT1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
- Ток стока при Vgs=0 -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности 225 mW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MMBFJ309L
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel