PMBFJ110,215
- ПроизводительNXP Semiconductors
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Single
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 25 V
- Ток стока при Vgs=0 -
- Id - непрерывный ток утечки 10 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 18 Ohms
- Pd - рассеивание мощности 250 mW
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия PMBFJ110
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel