NSVJ5908DSG5T1G
- ПроизводительON Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок MCPH-5
- Полярность транзистора N-Channel
- Конфигурация Dual
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 15 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 15 V
- Ток стока при Vgs=0 32 mA
- Id - непрерывный ток утечки 50 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Pd - рассеивание мощности 300 mW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel