Искать:
NSVJ5908DSG5T1G
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок MCPH-5
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Конфигурация Dual
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 15 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 15 V
  • Ток стока при Vgs=0 32 mA
  • Id - непрерывный ток утечки 50 mA
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Pd - рассеивание мощности 300 mW
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия -
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, Reel