US6J12TCR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363T-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
- Id - непрерывный ток утечки 2 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 105 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 300 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
- Qg - заряд затвора 7.6 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel