VND7NV04-E
- ПроизводительSTMicroelectronics
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-252-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Id - непрерывный ток утечки 6 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 60 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток -
- Qg - заряд затвора 18 nC
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 60 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube