STW60NM50N
- ПроизводительSTMicroelectronics
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-247-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
- Id - непрерывный ток утечки 43 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 43 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
- Qg - заряд затвора 178 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 446 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим -
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение MDmesh
- Упаковка Tube