NVD3055-150T4G-VF01
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 9 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора 15 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Pd - рассеивание мощности 28.8 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel