BMS3004-1E
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 75 V
- Id - непрерывный ток утечки 68 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.4 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.6 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 4 V
- Qg - заряд затвора 300 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 40 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube