2N7000
- ПроизводительON Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-92-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
- Id - непрерывный ток утечки 200 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток -
- Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 400 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Bulk