US6M2TR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-363T-6
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V, 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 1 A, 1.5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 240 mOhms, 390 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 700 mV, 500 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
- Qg - заряд затвора 1.6 nC, 2.1 nC
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel