STW3N170
- ПроизводительSTMicroelectronics
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-3PF-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.7 kV
- Id - непрерывный ток утечки 2.6 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 44 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 63 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение PowerMESH
- Упаковка Tube