TSM9N90ECI C0G
- ПроизводительTaiwan Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок ITO-220-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V
- Id - непрерывный ток утечки 9 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.13 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 72 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 89 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube