TSM085N03PQ33 RGG
- ПроизводительTaiwan Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PDFN33-8
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
- Id - непрерывный ток утечки 13 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.2 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 14.3 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 37 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, Reel