TSM2N100CH C5G
- ПроизводительTaiwan Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-251-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 1 kV
- Id - непрерывный ток утечки 1.85 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 Ohms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
- Qg - заряд затвора 17 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 77 W
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Tube