APT66M60B2
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок T-MAX-3
- Количество каналов -
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
- Id - непрерывный ток утечки 70 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 75 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
- Qg - заряд затвора 330 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 1.135 kW
- Конфигурация -
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение POWER MOS 8
- Упаковка Tube