UT6MA3TCR
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок HUML2020L-8
- Количество каналов 2 Channel
- Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
- Id - непрерывный ток утечки 5.5 A, 5 A
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 30 mOhms, 42 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 500 mV, 1.5 V
- Vgs - напряжение затвор-исток 8 V
- Qg - заряд затвора 4 nC, 6.5 nC
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности 2 W
- Конфигурация Dual
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация -
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel