SZNUD3112LT1G
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-23-3
- Количество каналов 1 Channel
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 16 V
- Id - непрерывный ток утечки 500 mA
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток 900 mOhms
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
- Vgs - напряжение затвор-исток 6 V
- Qg - заряд затвора -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Pd - рассеивание мощности 225 mW
- Конфигурация Single
- Канальный режим Enhancement
- Квалификация AEC-Q101
- Коммерческое обозначение -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel