BFU730F,115
- ПроизводительNXP Semiconductors
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология SiGe
- Полярность транзистора -
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe205
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 2.8 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1 V
- Непрерывный коллекторный ток 5 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Конфигурация -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT343F-4
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel