BFG35,115
- ПроизводительNXP Semiconductors
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 18 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
- Непрерывный коллекторный ток 0.15 A
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-223
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel