2SC5551AF-TD-E
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия 2SC5551A
- Тип транзистора Bipolar
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe90
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
- Непрерывный коллекторный ток 300 mA
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PCP-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel