Искать:
BFU580GX
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип транзистора Bipolar Wideband
  • Технология Si
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe60
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 16 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток 30 mA
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-223-4
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, Reel