55GN01CA-TB-E
- ПроизводительON Semiconductor
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Серия 55GN01CA
- Тип транзистора Bipolar Power
- Технология Si
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe100
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 10 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
- Непрерывный коллекторный ток 5 mA
- Минимальная рабочая температура + 25 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок CP-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel