Искать:
QPD1022SR
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 24 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.8 V
  • Id - непрерывный ток утечки 610 mA
  • Выходная мощность 10 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 13.8 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок QFN-16
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel