Искать:
TGF2936
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 16 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 700 mA
  • Выходная мощность 10 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 8.9 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок -
  • Упаковка Gel Pack