Искать:
TGF2934
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 14 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 1 A
  • Выходная мощность 14 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 15.8 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок -
  • Упаковка Gel Pack