CGHV1F025S
- ПроизводительWolfspeed / Cree
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 11 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
- Id - непрерывный ток утечки 2 A
- Выходная мощность 25 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DFN-12
- Упаковка Cut Tape, Reel