Искать:
MRFG35003N6AT1
Технические характеристики
  • Тип транзистора pHEMT
  • Технология GaAs
  • Усиление 10 dB
  • Полярность транзистора -
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 5 V
  • Id - непрерывный ток утечки 2.9 A
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PLD-1.5
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel