Искать:
TGF3015-SM
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 17.1 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 2.7 V
  • Id - непрерывный ток утечки 557 mA
  • Выходная мощность 11 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности 15.3 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок QFN-EP-16
  • Упаковка Tray