T2G6003028-FL
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление -
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность -
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа -
- Упаковка / блок -
- Упаковка Tray